半導(dǎo)體裝備

化合物半導(dǎo)體

  以GaN、SiC、GaAs、InP為代表的化合物半導(dǎo)體材料,因其適合制備高速、高頻、大功率器件,在5G/6G 通訊、光通訊、新能源汽車等新型產(chǎn)業(yè)中有著不可替代的地位。   

  在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域,北方華創(chuàng)可提供長晶爐、干法刻蝕設(shè)備、薄膜設(shè)備、爐管設(shè)備、清洗設(shè)備,為客戶提供全面的工藝解決方案。

  • 等離子刻蝕設(shè)備
  • 物理氣相沉積設(shè)備
  • 化學(xué)氣相沉積設(shè)備
  • 長晶爐設(shè)備
  • 氧化擴(kuò)散設(shè)備
  • 濕法設(shè)備
  • 氣體測量控制
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