濕法工藝主要用于去除芯片制造中上一道工序所遺留的超微細(xì)顆粒污染物、金屬殘留、有機(jī)物殘留物，去除光阻掩膜或殘留，也可根據(jù)需要進(jìn)行硅氧化膜、氮化硅或金屬等薄膜材料的濕法腐蝕，為下一步工序準(zhǔn)備好良好的表面條件。清洗一般采用化學(xué)和物理作用力相結(jié)合的方法實(shí)現(xiàn)，在清洗時既要有很好的腐蝕選擇性，高效的去除超微細(xì)顆粒物及各種殘留物的能力，又不能對晶片表面的精細(xì)圖形結(jié)構(gòu)造成損傷。濕法腐蝕速率，腐蝕均勻性，晶圓正、反面交叉污染的控制，清洗效率等都是至關(guān)重要的工藝要素。   

北方華創(chuàng)可提供多種類型的單片清洗設(shè)備和槽式清洗設(shè)備，已廣泛應(yīng)用于集成電路、半導(dǎo)體照明、先進(jìn)封裝、微機(jī)電系統(tǒng)、電力電子、化合物和功率器件等領(lǐng)域。